دورية أكاديمية

The effect of helium ion implantation on the relaxation of strained InGaAs thin films

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: The effect of helium ion implantation on the relaxation of strained InGaAs thin films
المؤلفون: Paulson, C.A., Jha, S., Song, X., Rathi, M., Babcock, S.E., Mawst, L., Kuech, T.F.
المصدر: In Thin Solid Films 2012 520(6):2147-2154
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00406090
DOI:10.1016/j.tsf.2011.09.028