دورية أكاديمية

Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper)
المؤلفون: Schroeder, T., Giussani, A., Muessig, H.-J., Weidner, G., Costina, I., Wenger, Ch., Lukosius, M., Storck, P., Zaumseil, P.
المصدر: In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1615-1620
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:01679317
DOI:10.1016/j.mee.2009.03.108