دورية أكاديمية

Impact of roughness of TiN bottom electrode on the forming voltage of HfO2 based resistive memories

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Impact of roughness of TiN bottom electrode on the forming voltage of HfO2 based resistive memories
المؤلفون: Charpin-Nicolle, C., Bonvalot, M., Sommer, R., Persico, A., Cordeau, M.L., Belahcen, S., Eychenne, B., Blaise, Ph., Martinie, S., Bernasconi, S., Jalaguier, E., Nowak, E.
المصدر: In Microelectronic Engineering 15 January 2020 221
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:01679317
DOI:10.1016/j.mee.2019.111194