دورية أكاديمية
Strain relaxation induced by He-implantation at the Si 1− xGe x/Si(100) interface investigated by positron annihilation
| العنوان: | Strain relaxation induced by He-implantation at the Si 1− xGe x/Si(100) interface investigated by positron annihilation |
|---|---|
| المؤلفون: | Liszkay, L, Kajcsos, Zs, Barthe, M.-F, Desgardin, P, Hackbarth, Th, Herzog, H.-J, Holländer, B, Mantl, S |
| المصدر: | In Applied Surface Science 2002 194(1):136-139 |
| قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
Full Text Finder كن أول من يترك تعليقا!