دورية أكاديمية

Disturbance of oxygen by isovalent impurity atoms in silicon

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Disturbance of oxygen by isovalent impurity atoms in silicon
المؤلفون: Khirunenko, L.I *, Zasuha, V.A, Pomozov, Yu.V, Sosnin, M.G
المصدر: In Physica B: Physics of Condensed Matter 2001 308:301-304
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:09214526
DOI:10.1016/S0921-4526(01)00846-8