دورية أكاديمية

Carrier lifetime dependence on doping, metal implants and excitation density in Ge and Si

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Carrier lifetime dependence on doping, metal implants and excitation density in Ge and Si
المؤلفون: Gaubas, E., Vanhellemont, J., Simoen, E., Romandic, I., Geens, W., Clauws, P.
المصدر: In Physica B: Physics of Condensed Matter 2007 401:222-225
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:09214526
DOI:10.1016/j.physb.2007.08.151