دورية أكاديمية

Photocapacitance study of GaSb: In, As for defect analysis in InAs/GaSb type-II strained layer superlattices

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Photocapacitance study of GaSb: In, As for defect analysis in InAs/GaSb type-II strained layer superlattices
المؤلفون: Klein, B., Hains, C., Taghipour, Z., Plis, E., Krishna, S.
المصدر: In Infrared Physics and Technology May 2015 70:40-43
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:13504495
DOI:10.1016/j.infrared.2014.11.009