دورية أكاديمية

Effect of the column design and fabrication method on the reverse recovery characteristics of 1.2 kV SiC-superjunction-MOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effect of the column design and fabrication method on the reverse recovery characteristics of 1.2 kV SiC-superjunction-MOSFETs
المؤلفون: Tawara, Takeshi, Takenaka, Kensuke, Narita, Syunki, Sometani, Mitsuru, Oozono, Kunihide, Ji, Shiyang, Morimoto, Tadao, Harada, Shinsuke
المصدر: In Materials Science in Semiconductor Processing 15 June 2024 176
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:13698001
DOI:10.1016/j.mssp.2024.108324