دورية أكاديمية

Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
المؤلفون: De Santi, C., Buffolo, M., Rossetto, I., Bordignon, T., Brusaterra, E., Caria, A., Chiocchetta, F., Favero, D., Fregolent, M., Masin, F., Modolo, N., Nardo, A., Piva, F., Rampazzo, F., Sharma, C., Trivellin, N., Zhan, G., Meneghini, M., Zanoni, E., Meneghesso, G.
المصدر: In e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy 2021 1
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:27726711
DOI:10.1016/j.prime.2021.100018