مورد إلكتروني
Physical and technological features of formation of metallization of submicron arsenide-gallium structures in large-scale integrated circuits by ion milling
| العنوان: | Physical and technological features of formation of metallization of submicron arsenide-gallium structures in large-scale integrated circuits by ion milling |
|---|---|
| عناروين إضافية: | Физико-технологические особенности формирования металлизации субмикронных арсенидгалиевих структур ионным фрезерованием Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруванням |
| المصدر: | Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 4, № 5(64) (2013): Прикладна фізика; 3-6; Том 4, № 5(64) (2013): Прикладная физика; Том 4, № 5(64) (2013): Applied physics; 1729-4061; 1729-3774 |
| بيانات النشر: | PC Technology Center 2013-07-30 |
| تفاصيل مُضافة: | Новосядлий, Степан Петрович; Precarpathian National University.V. Stefanyk, Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76000 Кіндрат, Тарас Петрович; Precarpathian National University.V. Stefanyk, Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76000 Мельник, Любомир Володимирович; Precarpathian National University.V. Stefanyk, Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76000 Варварук, Василь Миколайович; Precarpathian National University.V. Stefanyk, Shevchenko 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76000 |
| نوع الوثيقة: | Electronic Resource |
| مستخلص: | In large-scale integrated circuits the size of chip is limited by the lithographic process capabilities and specified output of supplementaries, therefore the large scale integration level (105-107) implies high density of components with minimal topological elements decreasing. Since wiring in LSIC structures covers 50-75% of the chip surface, the primary task of structures minimizing is reducing the pitch of multilayer wiring.A switch to production of LSIC submicron structures focuses the developers` attention on technological methods, ensuring maximum resolving power and formation of small elements (<0.5 mm) with high output of supplementaries.The paper describes the principles of ion milling, methods of ion-beam processing in lithography, advantages and disadvantages as compared to other methods. It was shown that ion-beam milling is particularly efficient for profiling contact windows of multilayer wiring in LSIC structures. The LSIC structures based on GaAs (Gallium Arsenide) have been obtained with the second level of metallization performed by ion-beam etching using a photoresist mask. The efficiency of post-implantation annealing by ion-beam as compared to thermal annealing has been analyzed. Ohmic contacts with contact windows low resistance have been formed. Описаны основы ионного фрезерования, методы ионно-лучевой обработки в литографии, преимущества и недостатки по сравнению с другими методами, получены структуры БИС на GaAs со вторым уровнем металлизации, выполненным с помощью ионно-лучевого травления через маску с фоторезистом. Исследована эффективность послеимплантационного отжига ионным пучком по сравнению с термическим отжигом Описано основи іонного фрезерування, методи іонно-променевої обробки в літографії, переваги та недоліки в порівнянні із іншими методами, отримано структури ВІС на GaAs із другим рівнем металізації, виконаним за допомогою іонно-променевого травлення через маску із фоторезистом. Досліджено ефективність після імплантаційного відпалу іонним пучком в порівнянні із термічним відпалом |
| مصطلحات الفهرس: | Gallium Arsenide, ohmic contact, ion implantation, ion milling, ion-beam etching, multiple-charged implantation, арсенид галлия, омический контакт, ионная имплантация, ионное фрезерование, ионно-лучевое травление, арсенід галію, омічний контакт, іонна імплантація, іонне фрезерування, іонно-променеве травлення, УДК 537.5, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| URL: | |
| الإتاحة: | Open access content. Open access content Copyright (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Тарас Петрович Кіндрат, Любомир Володимирович Мельник, Василь Миколайович Варварук http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
| ملاحظة: | application/pdf Eastern-European Journal of Enterprise Technologies Ukrainian |
| أرقام أخرى: | UANTU oai:ojs.journals.uran.ua:article/16660 893545292 |
| المصدر المساهم: | NATIONAL TECH UNIV OF UKRAINE From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative. |
| رقم الأكسشن: | edsoai.ocn893545292 |
| قاعدة البيانات: | OAIster |
| الوصف غير متاح. |