مورد إلكتروني
Development of technology of multicharged ion implantation of GaAs for submicron structures of large-scale integrated circuits
| العنوان: | Development of technology of multicharged ion implantation of GaAs for submicron structures of large-scale integrated circuits |
|---|---|
| عناروين إضافية: | Разработка технологии многозарядной ионной имплантации GaAs для субмикронных структур больших интегральных схем Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем |
| المصدر: | Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 1729-4061; 1729-3774 |
| بيانات النشر: | PC Technology Center 2015-12-25 |
| تفاصيل مُضافة: | Новосядлий, Степан Петрович; Carpathian National University. Stefanik Str. Shevchenko, 57, Ivano-Frankivsk, Ukraine, 76025 Бойко, Сергій Іванович; Carpathian National University. V.Stefanyk Shevchenka, 57, Ivano–Frankivsk, Ukraine, 76025 Мельник, Любомир Васильович; Carpathian National University. V.Stefanyk Shevchenka, 57, Ivano–Frankivsk, Ukraine, 76025 Новосядлий, Святослав Володимирович; Carpathian National University. V.Stefanyk Shevchenka, 57, Ivano–Frankivsk, Ukraine, 76025 |
| نوع الوثيقة: | Electronic Resource |
| مستخلص: | The paper describes the development of technology of multicharged ion implantation for GaAs. This technology is essential to creating high-performance VLSI structures. The main advantage of ion implantation of GaAs is optimizing the doping profile for the active impact on the characteristics of Schottky field-effect transistors, namely reducing the surface influence on the stability of Schottky transistors and enhancing their performance by reducing the resistance of the source and drain regions. The first section of this paper presents the results of developing the GaAs-based structures with steep Schottky barrier. Next, the technology of multicharged ion implantation of P and B used to create doped pockets and security zones was described. This technology excludes thermal annealing and allows to create pockets and security zones simultaneously, which decreases the number of operations to ten and reduces the distance between the n and p transistors to 5.6 microns. Further, the characteristics of GaAs-based p+-n junctions were given, which allow to form complex structures with minimal defects, which in turn allows to create high-performance GaAs-based C-MOS transistors. Also, the paper considers the use of GaAs technology in solar cells, in which the charge carrier collection rate is increased by reducing the generation-recombination processes in the p-n junction, which greatly increases the efficiency of solar cells compared to monosilicon. Разработана технология изготовления ионно-легированных структур GaAs. Имплантация ионов кремния, бериллия, цинка проводилась в подложку с полуизолирующего арсенида галлия марки АГЧП-2а. Имплантация примеси через капсулирующее покрытие позволило получить достаточно высокие значения подвижности носителей тока в каналах полевого транзистора Шоттки (ПТШ), что позволяет формировать на них КМОП-структуры. Применение многозарядной имплантации и импульсного фотонного отжига для активации n+-области истока и стока обеспечило уровень ретроградного легирования сток-истоковых контактов на уровне (2–5)·1018 см-3. Розроблена технологія виготовлення іонно-легованих структур GaAs. Імплантація іонів кремнію, берилію, цинку проводилась в підкладку із напівізолюючого арсеніду галію марки АГЧП-2а. Імплантація домішки через капсулююче покриття дозволило отримати досить високі значення рухливості носіїв струму в каналах польового транзистора Шотткі (ПТШ), що дозволяє формувати на них КМОН-структури. Застосування багатозарядної імплантації та імпульсного фотонного відпалу для активації n+-областей витоку і стоку забезпечило рівень ретроградного легування стік-витокових контактів на рівні (2–5)·1018 см-3. |
| مصطلحات الفهرس: | multicharged ion implantation, gallium arsenide, CMOS technology, Schottky transistor, p+-n junction, graded band gap solar cell, многозаядная ионная имплантация, арсенид галия, КМОП технология, транзистор Шоттки, p+-n переход, варизонный солнечный элемент, багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p+-n перехід, варізонний сонячний елемент, УДК 537.5, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| URL: | |
| الإتاحة: | Open access content. Open access content Copyright (c) 2015 Степан Петрович Новосядлий, Сергій Іванович Бойко, Любомир Васильович Мельник, Святослав Володимирович Новосядлий Copyright (c) 2015 http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
| ملاحظة: | application/pdf Eastern-European Journal of Enterprise Technologies Ukrainian |
| أرقام أخرى: | UANTU oai:ojs.journals.uran.ua:article/54233 947013700 |
| المصدر المساهم: | NATIONAL TECH UNIV OF UKRAINE From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative. |
| رقم الأكسشن: | edsoai.ocn947013700 |
| قاعدة البيانات: | OAIster |
| الوصف غير متاح. |