مورد إلكتروني
Accurate Extraction of Effective Gate Resistance in RF MOSFET
| العنوان: | Accurate Extraction of Effective Gate Resistance in RF MOSFET |
|---|---|
| بيانات النشر: | Scientific Research Publishing Inc. 2015-05-22 |
| تفاصيل مُضافة: | Jo, Ikkyun Matsuoka, Toshimasa |
| نوع الوثيقة: | Electronic Resource |
| مصطلحات الفهرس: | MOSFET, NQS Effect, Gate Electrode Resistance, Elmore Constant, Journal Article, text, 学術雑誌論文 Journal Article |
| URL: | |
| الإتاحة: | Open access content. Open access content http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 Copyright © 2015 by authors and Scientific Research Publishing Inc. |
| ملاحظة: | English |
| أرقام أخرى: | YY$ oai:ir.library.osaka-u.ac.jp:11094/51764 Circuits and Systems.6(5) P.143-P.151 21531285 21531293 info:doi/10.4236/cs.2015.65015 2015-05-22 1137958946 |
| المصدر المساهم: | OSAKA UNIV MAIN LIBR From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative. |
| رقم الأكسشن: | edsoai.on1137958946 |
| قاعدة البيانات: | OAIster |
| الوصف غير متاح. |