مورد إلكتروني
SiC CMOS and memory devices for high-temperature integrated circuits
| العنوان: | SiC CMOS and memory devices for high-temperature integrated circuits |
|---|---|
| بيانات النشر: | KTH, Elektronik och inbyggda system Stockholm 2019 |
| تفاصيل مُضافة: | Ekström, Mattias |
| نوع الوثيقة: | Electronic Resource |
| مستخلص: | High-temperature electronics find use in extreme environments, like data logging in downhole drilling for geothermal energy production, inside of high-temperature turbines, industrial gas sensors and space electronics. The simplest systems use a sensor and a transmitter, but more advance electronic systems would additionally require a microcontroller with memory. Silicon carbide (4H-SiC) integrated circuits target high-temperature electronics, although the current integration level is low due to immature process technology and non-volatile memory has not been demonstrated. SiC CMOS would allow highly dense integrated circuits for microcontrollers and random access memory (RAM). Ferroelectric capacitors could serve as high-temperature non-volatile memory devices. In this work, significant efforts have been taken to develop a SiC CMOS process and ferroelectric capacitors. SiC CMOS is challenging and mostly unexplored technology. A recessed channel transistor design was investigated. Several key challenges in the SiC CMOS process was identified, leading to a polyoxide-based field oxide, a deposited gate-dielectric process, reproducible Ni-Al semi-salicide contacts to p-type SiC, and a high-temperature CMP enabled two-level TiW-based metallisation. Self-aligned cobalt silicide contacts were investigated, and was found to produce low-resistance ohmic contactsto n-type SiC. Inverters and ring oscillators that operate at 200 °C were achieved in this recessed channel SiC CMOS process. It was found that steam-treating the gate oxide interface produced both NMOS and PMOS transistors that could be used for circuits. However, the reliability suffered due to poor PMOS performance. Wafer-level statistical measurements of interface trap density was performed on NMOS transistors treated by steam, dry oxygen and nitrided by nitrous oxide. A deposition and etch process for ferroelectric capacitors, using vanadium-doped bismuth titanate as ferroelectric material, was developed. High-t Högtemperaturelektronik används i extrema miljöer, såsom borrhålsloggning för geotermisk energiutvinning, inuti högtemperaturturbiner, industrigassensorer och rymdelektronik. De enklaste systemen använder sig av en sensor och en radio, men mer komplicerade system använder sig dessutom av en mikrokontroller med minne. Integrerade kretsar i kiselkarbidsteknik (4H-SiC) är lämpade för högtemperaturelektronik, men den nuvarande integrationsnivån är låg p.g.a. den nuvarande omogna processtekniken. Icke-flyktiga minnen för högtemperaturtillämpningar har inte demonstrerats. CMOS-elektronik i kiselkarbidsteknik (SiC CMOS) skulle möjliggöra mikrokontroller och direktminne (eng. random access memory, RAM) tack vare den höga integrationstätheten. Ferroelektriska kondensatorer kan fungera som icke-flyktiga minneskomponenter för högtemperaturtillämpningar. Denna avhandling presenterar ett omfattande utvecklingsarbete av SiC CMOS och ferroelektriska kondensatorer. SiC CMOS är en utmanande och till stor del outforskad teknologi. En recessad kanal transistordesign undersöktes. Några nyckelutmaningar identifierades för SiC CMOS processen. Dessa utmaningarresulterade i en polyoxidbaserad fältoxid, en deponerad grinddielektrikumprocess, reproducerbara Ni-Al halv-självlinjerade kontakter till p-typ kiselkarbid, och en högtemperatur CMP-möjliggjord tvånivås titanvolframbaserad metallisering. En självlinjerad koboltsilicid-kontaktprocess undersöktes, och det visade sig att den gav lågresistiva ohmska kontakter till n-typ kiselkarbid. Inverterare och ringoscillatorer som fungerar vid 200 °C kunde demonstreras med denna recessad kanal transistordesign. Ångbehandlad grindoxidgränssnitt ger fungerande NMOS- och PMOS-transistorer som kunde användas för CMOS kretsar. Dock så led pålitligheten hos CMOS kretsarna p.g.a. PMOS transistorernas låga prestanda. Statistisk mätning av gränssnittsfälltäthet på skivnivå genomfördes för NMOS transistorer som hade blivit behandlade med ånga, torr syrgas och QC 20190428 |
| مصطلحات الفهرس: | bismuth titanate (Bi4Ti3O12), CMOS, ferroelectric capacitor, field oxide, inverter, metallisation, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), ohmic contacts, ring oscillator, semiconductor processing, silicon carbide (4H-SiC), ferroelektrisk kondensator, fältoxid, halvledartillverkning, inverterare, kiselkarbid (4H-SiC), metallisering, MOSFET, ohmska kontakter, ringoscillator, vismuttitanat (Bi4Ti3O12), Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering, Elektroteknik och elektronik, Doctoral thesis, comprehensive summary, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, text |
| URL: | TRITA-EECS-AVL ; 2019:42 |
| الإتاحة: | Open access content. Open access content info:eu-repo/semantics/openAccess |
| ملاحظة: | application/pdf English |
| أرقام أخرى: | UPE oai:DiVA.org:kth-250276 0000-0002-1016-6085 urn:isbn:978-91-7873-180-0 1234551519 |
| المصدر المساهم: | UPPSALA UNIV LIBR From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative. |
| رقم الأكسشن: | edsoai.on1234551519 |
| قاعدة البيانات: | OAIster |
| الوصف غير متاح. |