دورية أكاديمية

High purity InxGa1−xSb single crystals with cutoff wavelength of 7–8 µm grown by melt epitaxy

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: High purity InxGa1−xSb single crystals with cutoff wavelength of 7–8 µm grown by melt epitaxy
المؤلفون: Gao, Yu Zhu, Kan, Hirofumi, Murata, Jun Ichi, Aoyama, Mitsuru, Yamaguchi, Tomuo
المصدر: Journal of Electronic Materials. October 2000 29(10):L25-L27
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:03615235
1543186X
DOI:10.1007/s11664-000-0029-0