دورية أكاديمية

Effect of inner oxygen on the interfacial layer formation for HfO2 gate dielectric

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effect of inner oxygen on the interfacial layer formation for HfO2 gate dielectric
المؤلفون: Jiang, RanAff1, IDs108530071584z_cor1, Xie, E. Q., Wang, Z. F.
المصدر: Journal of Materials Science: Full Set - Includes `Journal of Materials Science Letters'. 42(17):7343-7347
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:00222461
15734803
DOI:10.1007/s10853-007-1584-z