دورية أكاديمية

Growth of GaAs1–xBix Layers by Molecular-Beam Epitaxy

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Growth of GaAs1–xBix Layers by Molecular-Beam Epitaxy
المؤلفون: Semyagin, B. R., Kolesnikov, A. V., Putyato, M. A., Preobrazhenskii, V. V., Popova, T. B., Ushanov, V. I., Chaldyshev, V. V.Aff2, IDS1063782623060155_cor7
المصدر: Semiconductors. 57(9):405-409
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:10637826
10906479
DOI:10.1134/s1063782623060155