دورية أكاديمية

Graphene doped (Bi2Te3–Bi2O3–TeO2): PVP dielectrics in metal–semiconductor structures

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Graphene doped (Bi2Te3–Bi2O3–TeO2): PVP dielectrics in metal–semiconductor structures
المؤلفون: Badali, Yosef, Farazin, JavidAff2, Aff3, Pirgholi-Givi, GholamrezaAff3, Aff4, Altındal, Şemsettin, Azizian-Kalandaragh, YasharAff3, Aff6, Aff7, Aff8, IDs00339021044004_cor5
المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 127(9)
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:09478396
14320630
DOI:10.1007/s00339-021-04400-4