دورية أكاديمية

On the characterisation of grown-in defects in Czochralski-grown Si and Ge

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: On the characterisation of grown-in defects in Czochralski-grown Si and Ge
المؤلفون: Vanhellemont, J., Van Steenbergen, J., Holsteyns, F., Roussel, P., Meuris, M., Młynarczyk, K., Śpiewak, P., Geens, W., Romandic, I.
المصدر: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. December 2008 19(1):24-31
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:09574522
1573482X
DOI:10.1007/s10854-008-9579-3