دورية أكاديمية

Anisotropy of atomic bonds formed by p-type dopants in bulk GaN crystals

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Anisotropy of atomic bonds formed by p-type dopants in bulk GaN crystals
المؤلفون: Lawniczak-Jablonska, K., Suski, T., Gorczyca, I., Christensen, N.E., Libera, J., Kachniarz, J., Lagarde, P., Cortes, R., Grzegory, I.
المصدر: Applied Physics A: Materials Science and Processing. November 2002 75(5):577-583
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:09478396
14320630
DOI:10.1007/s003390101032