دورية أكاديمية

Modelling the effects of p-modulation doping in InAs/InGaAs quantum dot devices

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Modelling the effects of p-modulation doping in InAs/InGaAs quantum dot devices
المؤلفون: Maglio, BenjaminAff1, IDs11082024063622_cor1, Jarvis, Lydia, Tang, Mingchu, Liu, Huiyun, Smowton, Peter M.
المصدر: Optical and Quantum Electronics. 56(4)
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:1572817X
DOI:10.1007/s11082-024-06362-2