دورية أكاديمية

Enhancement of Electrical Properties of TiO2−x Oxide Semiconductor by d-Orbital Ordering Using Swift Heavy Ni-Ion Irradiation at Room Temperature

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Enhancement of Electrical Properties of TiO2−x Oxide Semiconductor by d-Orbital Ordering Using Swift Heavy Ni-Ion Irradiation at Room Temperature
المؤلفون: Cho, S. H., Jun, B. H., Chung, K. B.
المصدر: Journal of Electronic Materials. February 2017 46(2):1300-1306
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:03615235
1543186X
DOI:10.1007/s11664-016-5116-y