دورية أكاديمية

Electron and Hole Capture Cross-Sections of Fe Acceptors in GaN:Fe Epitaxially Grown on Sapphire

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Electron and Hole Capture Cross-Sections of Fe Acceptors in GaN:Fe Epitaxially Grown on Sapphire
المؤلفون: Aggerstam, T., Pinos, A., Marcinkevičius, S., Linnarsson, M., Lourdudoss, S.
المصدر: Journal of Electronic Materials. December 2007 36(12):1621-1624
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:03615235
1543186X
DOI:10.1007/s11664-007-0202-9