دورية أكاديمية

Longitudinal optical Raman mode A1 to calculate the indium molar fraction of epitaxial InGaN layers grown by LP-MOCVD on polar and non-polar planes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Longitudinal optical Raman mode A1 to calculate the indium molar fraction of epitaxial InGaN layers grown by LP-MOCVD on polar and non-polar planes
المؤلفون: Marín-García, C. A., Cerón, J. S. AriasAff2, Sánchez-R, V. M.
المصدر: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 31(10):7455-7460
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:09574522
1573482X
DOI:10.1007/s10854-020-02966-y