دورية أكاديمية

Review on role of nanoscale HfO2 switching material in resistive random access memory device

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Review on role of nanoscale HfO2 switching material in resistive random access memory device
المؤلفون: A, NapoleanAff1, IDs42247022003560_cor1, NM, Sivamangai, S, Rajesh, R, NaveenKumar, N, Nithya, S, Kamalnath, N, Aswathy
المصدر: Emergent Materials. 5(2):489-508
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:25225731
2522574X
DOI:10.1007/s42247-022-00356-0