دورية أكاديمية

Сomposition Depth Profiling of the GaAs Native Oxide Irradiated by an Ar+ Ion Beam

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Сomposition Depth Profiling of the GaAs Native Oxide Irradiated by an Ar+ Ion Beam
المؤلفون: Mikoushkin, V. M.Aff1, Bryzgalov, V. V., Makarevskaya, E. A., Solonitsyna, A. P., Marchenko, D.E.
المصدر: Semiconductors. 52(16):2057-2060
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:10637826
10906479
DOI:10.1134/s1063782618160194