دورية أكاديمية

Structural, Chemical and Electrical Properties of Au/La2O3/n-GaN MIS Junction with a High-k Lanthanum Oxide Insulating Layer

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Structural, Chemical and Electrical Properties of Au/La2O3/n-GaN MIS Junction with a High-k Lanthanum Oxide Insulating Layer
المؤلفون: Uma, M., Balaram, N., Sekhar Reddy, P. R., Janardhanam, V., Rajagopal Reddy, V.Aff1, Yun, Hyung-Joong, Lee, Sung-Nam, Choi, Chel-JongAff2
المصدر: Journal of Electronic Materials. 48(7):4217-4225
قاعدة البيانات: Springer Nature Journals
الوصف
تدمد:03615235
1543186X
DOI:10.1007/s11664-019-07193-8