دورية أكاديمية

Reduced dislocation density in GaxIn1–xP compositionally graded buffer layers through engineered glide plane switch

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Reduced dislocation density in GaxIn1–xP compositionally graded buffer layers through engineered glide plane switch
المساهمون: Geisz, John [National Renewable Energy Lab. (NREL), Golden, CO (United States)]
المصدر: Journal of Crystal Growth; 464; C
وصف الملف: Medium: ED; Size: p. 20-27
URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1348155
قاعدة البيانات: SciTech Connect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2016.11.050