دورية أكاديمية

CHANGES OF OPTICAL REFLECTIVITY (1.8 TO 2.2 eV) INDUCED BY 40-keV ANTIMONY ION BOMBARDMENT OF SILICON.

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: CHANGES OF OPTICAL REFLECTIVITY (1.8 TO 2.2 eV) INDUCED BY 40-keV ANTIMONY ION BOMBARDMENT OF SILICON.
المساهمون: Marsh, O
المصدر: Appl. Phys. Lett., 14: 225-6(Apr. 1, 1969).; Other Information: Orig. Receipt Date: 31-DEC-69
وصف الملف: Medium: X
URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/biblio/4789940
قاعدة البيانات: SciTech Connect