دورية أكاديمية
CHANGES OF OPTICAL REFLECTIVITY (1.8 TO 2.2 eV) INDUCED BY 40-keV ANTIMONY ION BOMBARDMENT OF SILICON.
العنوان: | CHANGES OF OPTICAL REFLECTIVITY (1.8 TO 2.2 eV) INDUCED BY 40-keV ANTIMONY ION BOMBARDMENT OF SILICON. |
---|---|
المساهمون: | Marsh, O |
المصدر: | Appl. Phys. Lett., 14: 225-6(Apr. 1, 1969).; Other Information: Orig. Receipt Date: 31-DEC-69 |
وصف الملف: | Medium: X |
URL الوصول: | http://www.osti.gov/scitech/biblio/4789940 |
قاعدة البيانات: | SciTech Connect |
DOI: | 10.1063/1.1652789 |
---|