En aquesta tesi, tenim com a objectiu el modelat de corrent de desguàs per a transistors orgànics de pel·licula fina (OTFTs) i transistors de pel·lícula fina de l'oxi Indium-GalliumZinc (TFTGZO) de 150K a 370K, a més, presentem un model per a la capacitancça gate-gate per OTFTs. utilitzant els models de corrent desenvolupats, analitzen les dependències de temperatura aplicant mètodes d'extracció de paràmetres directes a les característiques experimental I-V aplicant temperatures de 150 a 370K per a OTFTs i GZOs, A més analitzen el comportament de la capacitança de la porta de temperatures que oscil·len entre 200K i 300K. La majoria dels paràmetres del model de capacitança de la porta s'extreuen de les característiques I-V. Hem validat correctament els nostres models en compració amb les característiques experimentals I-V tant de OTFTs com de TFT IGZO de 150k a 370K i C-V a diferents freqüències de OTFTs.
ADVERTIMENT. Tots els drets reservats. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
